晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。石英晶體的每次振蕩使計(jì)數(shù)器減1。當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對(duì)一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷(或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷)成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒。晶振在潮濕的天氣情況下也會(huì)出現(xiàn)這種問題，這樣就建議更換質(zhì)量較好的晶振。隨州常見插件晶振供應(yīng)

晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。珠海小尺寸插件晶振量大從優(yōu)普通晶體振蕩器（SPXO）：采用任何溫度頻率補(bǔ)償措施，價(jià)格低廉，通常用 作微處理器的時(shí)鐘器件。

晶振也就是晶振振蕩器，是一種利用晶體作為頻率選擇元件來獲得逆壓電效應(yīng)的電子振蕩器。它利用具有壓電特性的振動(dòng)晶體的機(jī)械共振，以獲得具有高精度頻率的電信號(hào)。晶體振蕩器被認(rèn)為優(yōu)于陶瓷諧振器，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩姆€(wěn)定性、更高的質(zhì)量、更低的成本和更小的尺寸。晶體振蕩器是固定頻率振蕩器之一，其中它們的精度和穩(wěn)定性是**重要的考慮因素。它們通常使用與其他類型的振蕩器相同的電路，不同之處在于晶體取代了調(diào)諧電路。在晶體振蕩器中，晶體作為諧振器振動(dòng)，產(chǎn)生的頻率決定了振蕩頻率。換句話說，晶體就像一個(gè)具有精確諧振頻率的電感器、電阻器和電容器的電路。在某些情況下，為了使晶體振蕩器具有更好的熱穩(wěn)定性，會(huì)應(yīng)用溫度補(bǔ)償。

當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)PF到幾十PF。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1pF。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100Ω。由于晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。晶振參數(shù)中PPM是表示百萬(wàn)分之一,指誤差（精度)。

晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。晶振失效主要指電路停振無CLK 產(chǎn)生；或頻率嚴(yán)重偏離造成CLK 不能正常為周邊電路所用。湖北通耀電子插件晶振供應(yīng)商

晶振現(xiàn)在的主流封裝尺寸是多少？隨州常見插件晶振供應(yīng)

49S晶振頻率片49S晶振頻率片是把人造石英利用切割的方法切成一定切型、一定形狀、一定尺寸的晶片.49S頻率片采用的是矩形片，目前用的外形尺寸有8*2和6.5*2規(guī)格的。49S晶振外殼不同高度產(chǎn)品使用的外殼高度不同,高度有1.7mm,1.8mm,2.0mm,2.2mm,2.86mm等,對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品高度為2.0～3.5mm.材質(zhì)也有所不同,有鐵殼和銅殼，不同要求的產(chǎn)品可能選擇不同。49S晶振電極不同頻率點(diǎn)石英晶振采用的電極尺寸不同，電極材料一般利用純度99.99%以上的銀，目的是為了提高電極的附著強(qiáng)度，在鍍銀之前先鍍少量的鉻（Cr）或鎳(Ni)效果會(huì)更好，鍍銀是在高真空度下進(jìn)行的,真空度至少達(dá)到5*10-5乇以上，電極面積直接與靜態(tài)電容、動(dòng)態(tài)電感、動(dòng)態(tài)電容等參數(shù)有關(guān)，電極面積大時(shí)，C0較大，晶體易起振，但易激勵(lì)寄生振動(dòng)，產(chǎn)生跳頻；電極面積小時(shí)，C0較小,有利于抑制寄生，而不利于起振。隨州常見插件晶振供應(yīng)

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